光亮退火爐可以更有效地支持客戶的生產工藝，主要用于各種大型金屬或合金工件和批量退火熱處理，以天然氣或煤氣為介質進行燃燒加熱，控制先進，精度高。燃燒控制系統由噴嘴前供氣管道系統、噴嘴前壓縮空氣管道系統、噴嘴前燃氣管道系統、亞高速燃燒器、爐前點火控制系統和溫度控制系統組成。不同的溫度控制器控制不同的燃燒器，從而實現大小火和爐溫的自動控制。配有多通道彩色無紙記錄儀，可直接與上位機通訊，實時監控氣體光亮退火爐內各點溫度。

　　光亮退火爐可以更有效地支持我們客戶的生產過程

　　熱爐是指爐內溫度必須高于800。在爐內沖洗之前，氨區分氣公司應從氨區子裝置沖洗99%的純氮氣至管道、流量計和馬弗爐罐。當氨區分氣，準備給爐子加滿水時，打開排氣閥并把它放下。然后向爐內充入氨分化氣。設備的正常運行溫度不得低于750。此外，在應用過程中不可能防止任何烴類氣體爆炸。

　　在短時間停電的情況下(15分鐘左右)，操作人員不要緊張，因為爐和氨分化爐都有一定的熱量，足以保證15分鐘內給爐供氣。如果你15分鐘內不打電話。停工應按照“停工安全規則”進行。

　　停機后的最佳平衡冷卻，即所有四個溫度區都在同一溫度下冷卻。(100后再次下跌)原因是：由于風扇效應。四個溫度區的冷卻速度不同。這對馬弗的生命周期不利。長時間停爐時，應重新開爐，氨分化爐和吸附塔應活化再生。在爐子啟動期間，確保分氣， 氨區的露點質量。塔a和塔b最好依次干燥一次。

　　光亮退火爐是一種制造半導體器件的工藝，包括加熱幾個半導體晶片以影響它們的電性能。熱處理是為不同的效率而設計的。硅晶片可以被加熱以激發摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或晶片-襯底界面，從而改變精細沉積的薄膜，修復生長的薄膜，修復注入的缺陷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜轉移到硅晶片。