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退火溫度對Al(Ce)誘導(dǎo)Si薄膜晶化過程的影響研究
作者：郭佳麗
摘要：基于鋁誘導(dǎo)晶化方法,通過直流磁控濺射離子鍍技術(shù)利用純Al,純Si和Al(Ce)靶材,制備了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜.采用真空退火爐和X射線衍射儀在不同溫度下,對樣品進(jìn)行了退火實(shí)驗(yàn)并分析了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜的晶化和生長過程;結(jié)合Si薄膜的生長機(jī)理,研究了Al和稀土Ce在對Si薄膜退火晶化過程中的影響.結(jié)果表明:在Al(Ce)誘導(dǎo)Si薄膜晶化過程中,Ce可促進(jìn)Si原子沿Si(111)晶面生長;500℃退火后,與Al-Si薄膜相比Al(Ce)-Si薄膜中Si的平均晶粒尺寸顯著減小;Ce的存在細(xì)化了Al晶粒尺寸,且在擴(kuò)散進(jìn)程中使得Al原子彌散分布于Si原子所在微區(qū),是Si晶粒平均晶粒尺寸減小的主要原因.
關(guān)鍵詞：稀土Ce；Si薄膜；退火；晶化過程
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