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退火溫度對Al、Cu、Ni誘導Si薄膜晶化進程的影響
作者：蔣百靈，李洪濤，蔡敏利，苗啟林，楊波
摘要：基于金屬誘導晶化方法,利用直流磁控濺射離子鍍技術制備了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火爐和X射線衍射儀于不同溫度下對樣品進行了退火試驗并分析了退火后薄膜物相結構的變化規律。結果表明,Al誘導Si薄膜晶化的效果最好,Cu次之,Ni誘導Si薄膜晶化的效果較差;Al可在退火溫度為400℃時誘導Si薄膜晶化,且隨退火溫度的升高Si的平均晶粒尺寸增大;Cu-Si薄膜的內應力較大和Ni-Si薄膜中Ni/Si界面處難以形成NiSi是Cu、Ni誘導Si薄膜晶化效果較差的主要原因。
關鍵詞：硅薄膜；退火；晶化過程；擴散
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